Top piège du sujet
Délaisser les questions d'analyse au profit des questions calculatoires
Statistiques jury
Comment les candidats s'en sont sortis
Notes brutes officielles publiées par le jury — non harmonisées.
Moyenne
10.12
Médiane
10.1
Écart-type
4.99
Q1 (25%)
6.8
Q3 (75%)
13.5
Candidats présents
685
Calculateur
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Analyse
Ce qu'a observé le jury
Synthèse Hadamard du rapport officiel — citations, chiffres et conseils du jury.
Présentation du sujet
Trois parties étudiant les propriétés électriques des semi-conducteurs. Partie 1 : caractérisation d'un semi-conducteur, bandes d'énergie, dopage type N et P, concentration des porteurs (électrons/trous) à l'équilibre. Partie 2 : diode à jonction PN, étude électrostatique de la zone de charge d'espace, phénomène de diffusion, caractéristique courant/tension. Partie 3 : transistor bipolaire NPN, structure amplificatrice, gain en courant, polarisation, régime dynamique…
Structure de l'épreuve
- Partie I — Partie 1, Caractérisation électrique des semi-conducteurs(Q1-Q12)Niveau attendu
Bandes d'énergie, concentration des porteurs à l'équilibre, électrons et trous. Dopage qualitatif puis quantitatif : semi-conducteur sans impuretés vs avec impuretés D (donneur). 12 questions, abordée par la majorité des candidats, Q1a traitée par 80 % mais réussie par 10 %.
- Partie II — Partie 2, Diode à jonction PN(Q13-Q31)Difficile
Analyse de la zone de charge d'espace entre zones N et P. Étude électrostatique : champ et potentiel de la jonction. Diffusion et création de la zone de charge d'espace. Caractéristique courant/tension. Q13a-Q15 abordées par 70-87 %, taux de réponse chute à 10-15 % en fin de partie.
- Partie III — Partie 3, Transistor bipolaire NPN(Q32-Q50)Très difficile
Deux diodes tête-bêche. Structure amplificatrice : gain en courant, schéma électronique de polarisation, régime dynamique autour d'un point de fonctionnement, dérive thermique en régime statique. Abordée par une minorité de candidats (taux 0-30 % selon les questions).
Analyse globale du jury
« Sujet en trois parties sur les semi-conducteurs. Les parties 2 et 3 ont été nettement moins abordées que la première (à part les premières questions de la partie 2). Ce sont pourtant ces 2 dernières parties qui ont permis de départager les meilleurs candidats. La partie 1, malgré la dernière question, a été abordée par la majorité. Les questions nécessitant des qualités d'analyse ont été significativement moins abordées que celles strictement calculatoires, et lorsqu'elles ont été abordées, ont été assez mal traitées (Q1a : 80 % de copies, 10 % de réussite). Pour 1071 candidats : moyenne 10,12/20 (σ=4,99) sur 685 français, 7,58/20 (σ=4,78) sur 386 étrangers. Distribution : ~110 entre 0-4, 320 entre 4-8, 280 entre 8-12, 200 entre 12-16, 140 entre 16-20. »
Top pièges sanctionnés
Délaisser les questions d'analyse au profit des questions calculatoires-2 pts
« On regrettera que les questions nécessitant des qualités d'analyse aient été significativement moins abordées que celles plus strictement calculatoires. Lorsqu'elles ont été abordées, elles ont été assez mal traitées, comme la question 1a par exemple qui a été traitée par 80 % des candidats mais seuls 10 % des candidats y ont répondu correctement. »
Survoler la partie 1 et négliger parties 2-3 qui font la différence-3 pts
« Les parties 2 et 3 ont été nettement moins abordées que la première partie. Ce sont pourtant ces 2 dernières parties qui ont permis de départager les meilleurs candidats. »
Chapitres clés à maîtriser
Bosse chaque chapitre sur d'autres sujets de concours qui le couvrent.
Contexte
L'épreuve en quelques chiffres
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Stratégie
Notre approche pour ce sujet
- Partie 1, Caractérisation électrique des semi-conducteurs (Q1-Q12 · moyen)
- Partie 2, Diode à jonction PN (Q13-Q31 · dur)
- Partie 3, Transistor bipolaire NPN (Q32-Q50 · tres-dur)
Conseils du jury
Pièges sanctionnés par le rapport
- Délaisser les questions d'analyse au profit des questions calculatoires : « On regrettera que les questions nécessitant des qualités d'analyse aient été significativement moins abordées que celles plus strictement calculatoires. Lorsqu'elles ont été abordées, elles ont été assez mal traitées, comme la question 1a par exemple qui a été traitée par 80 % de... »
- Survoler la partie 1 et négliger parties 2-3 qui font la différence : « Les parties 2 et 3 ont été nettement moins abordées que la première partie. Ce sont pourtant ces 2 dernières parties qui ont permis de départager les meilleurs candidats. »
Ressources
Téléchargements
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FAQ